PN 结，全称 P 型半导体与 N 型半导体结，是一种常见的半导体器件。它是由 P 型半导体材料与 N 型半导体材料相互接触形成的结构。在 PN 结中，P 型半导体中的空穴（电子缺失）与 N 型半导体中的自由电子（电子过剩）相互扩散，形成一个区域，这个区域内的空穴和自由电子浓度相近，称为中性区或耗尽区。PN 结具有单向导通特性，即只有当外加电压大于一定值（称为开启电压）时，PN 结才导通。
PN 结的制备方法通常是通过热扩散或离子注入等方法，在半导体基片上形成 P 型和 N 型区域。热扩散是将杂质原子（如硼、磷等）通过加热的方式扩散到半导体材料中，从而形成 P 型或 N 型区域。离子注入则是利用高速离子束将杂质原子注入到半导体材料中，从而改变材料内部的电子浓度，形成 P 型或 N 型区域。
PN 结在电子器件中有着广泛的应用，如二极管、晶体管、场效应晶体管等。二极管是一种最基本的 PN 结器件，它具有正向电压与反向电压两种工作状态。当正向电压加在 PN 结上时，耗尽区收缩，PN 结导通；而当反向电压加在 PN 结上时，耗尽区扩大，PN 结截止。根据这个原理，二极管可以用于整流、稳压等电路。
除了二极管，PN 结还可以与其他类型的半导体材料和器件组合，形成更多种类的电子器件。这些器件在现代电子技术中有着重要的应用，如计算机、通信设备、家用电器等。总之，PN 结是半导体技术的基础，对于了解和应用半导体器件具有重要意义。
